时间：2024-06-18 00:02:07
irfb3607详细参数
IRFB3607是一款MOSFET场效应晶体管，其主要参数如下：
1. 默认电性参数：VDSS（正向导通阈值电压）默认9V，ID（封装功耗）默认31.8A，RDSon（正向导通电阻）默认120 mM/12V，VDSM（正向关断峰值电压）9V，IDSM（正向关断漏电流）0.11A，Qg（关断损耗）18.1 nC，最大工作温度175℃。
2. 特殊功能参数：Qrr（飞行充电损耗）1.82 nC，Ciss（动态输入电容）连续电压1700 pF极限值4200 pF，Crss（输入漏电容）45pF ，COSS（输出负载电容）150 pF，CgD（源极器件）2.2 pF，Rg（输入阻抗）10Ω。
3. 其他参数：汲极/源极击穿电压650 V，闸/源击穿电压25 V，漏极连续电流130 A，电阻汲极/源极RDS（导通）0.014 Ohms，配置为Single，安装风格为Through Hole，封装/箱体为Max247，封装为Tube。
IRFB3607是一款高可靠性低成本的产品，特别适合用于高功率开关电源、电源供应和紧凑型LED等小尺寸应用等，用于Power management 和AI 运算，智能插头，电动汽车充电应用，家用电器及其他应用。
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