时间:2024-06-18 00:02:07
irfb3607详细参数
IRFB3607是一款MOSFET场效应晶体管,其主要参数如下:
1. 默认电性参数:VDSS(正向导通阈值电压)默认9V,ID(封装功耗)默认31.8A,RDSon(正向导通电阻)默认120 mM/12V,VDSM(正向关断峰值电压)9V,IDSM(正向关断漏电流)0.11A,Qg(关断损耗)18.1 nC,最大工作温度175℃。
2. 特殊功能参数:Qrr(飞行充电损耗)1.82 nC,Ciss(动态输入电容)连续电压1700 pF极限值4200 pF,Crss(输入漏电容)45pF ,COSS(输出负载电容)150 pF,CgD(源极器件)2.2 pF,Rg(输入阻抗)10Ω。
3. 其他参数:汲极/源极击穿电压650 V,闸/源击穿电压25 V,漏极连续电流130 A,电阻汲极/源极RDS(导通)0.014 Ohms,配置为Single,安装风格为Through Hole,封装/箱体为Max247,封装为Tube。
IRFB3607是一款高可靠性低成本的产品,特别适合用于高功率开关电源、电源供应和紧凑型LED等小尺寸应用等,用于Power management 和AI 运算,智能插头,电动汽车充电应用,家用电器及其他应用。
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